ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 ইনভার্টার বোর্ড IGCT মডিউল
বিবরণ
উৎপাদন | এবিবি |
মডেল | 5SHY4045L0001 এর কীওয়ার্ড |
অর্ডার তথ্য | 3BHB018162 এর বিবরণ |
ক্যাটালগ | ভিএফডি স্পেয়ার্স |
বিবরণ | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 ইনভার্টার বোর্ড IGCT মডিউল |
উৎপত্তি | মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র (মার্কিন) |
এইচএস কোড | 85389091 এর বিবরণ |
মাত্রা | ১৬ সেমি*১৬ সেমি*১২ সেমি |
ওজন | ০.৮ কেজি |
বিস্তারিত
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 হল ABB-এর একটি সমন্বিত গেট-কমিউটেটেড থাইরিস্টর (IGCT) পণ্য, যা 5SHY সিরিজের অন্তর্গত।
IGCT হল একটি নতুন ধরণের ইলেকট্রনিক ডিভাইস যা 1990 এর দশকের শেষের দিকে আবির্ভূত হয়েছিল।
এটি IGBT (ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর) এবং GTO (গেট টার্ন-অফ থাইরিস্টর) এর সুবিধাগুলিকে একত্রিত করে এবং দ্রুত স্যুইচিং গতি, বৃহৎ ক্ষমতা এবং বৃহৎ প্রয়োজনীয় ড্রাইভিং পাওয়ারের বৈশিষ্ট্যগুলি ধারণ করে।
বিশেষ করে, 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 এর ক্ষমতা GTO এর সমতুল্য, তবে এর স্যুইচিং গতি GTO এর তুলনায় 10 গুণ বেশি দ্রুত, যার অর্থ এটি স্বল্প সময়ের মধ্যে স্যুইচিং ক্রিয়া সম্পন্ন করতে পারে এবং এইভাবে পাওয়ার রূপান্তর দক্ষতা উন্নত করতে পারে।
এছাড়াও, GTO-এর তুলনায়, IGCT বিশাল এবং জটিল স্নাবার সার্কিট সংরক্ষণ করতে পারে, যা সিস্টেমের নকশাকে সহজ করতে এবং খরচ কমাতে সাহায্য করে।
তবে, এটা মনে রাখা উচিত যে যদিও IGCT-এর অনেক সুবিধা রয়েছে, তবুও প্রয়োজনীয় ড্রাইভিং শক্তি এখনও প্রচুর।
এটি সিস্টেমের শক্তি খরচ এবং জটিলতা বৃদ্ধি করতে পারে। এছাড়াও, যদিও IGCT উচ্চ-শক্তি প্রয়োগে GTO প্রতিস্থাপনের চেষ্টা করছে, তবুও এটি অন্যান্য নতুন ডিভাইস (যেমন IGBT) থেকে তীব্র প্রতিযোগিতার সম্মুখীন হচ্ছে।
5SHY4045L00013BHB018162R0001 ইন্টিগ্রেটেড গেট কমিউটেড ট্রানজিস্টর|GCT (ইন্টারগ্রেটেড গেট কমিউটেড ট্রানজিস্টর) হল একটি নতুন পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা 1996 সালে প্রকাশিত বিশাল পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যবহৃত হয়।
IGCT হল GTO কাঠামোর উপর ভিত্তি করে একটি নতুন উচ্চ-ক্ষমতা সম্পন্ন সেমিকন্ডাক্টর সুইচ ডিভাইস, যা গেট হার্ড ড্রাইভের জন্য সমন্বিত গেট কাঠামো ব্যবহার করে, বাফার মিডল লেয়ার কাঠামো এবং অ্যানোড স্বচ্ছ ইমিটার প্রযুক্তি ব্যবহার করে, থাইরিস্টরের অন-স্টেট বৈশিষ্ট্য এবং ট্রানজিস্টরের সুইচিং বৈশিষ্ট্য সহ।
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 একটি বাফার কাঠামো এবং অগভীর নির্গমনকারী প্রযুক্তি ব্যবহার করে, যা গতিশীল ক্ষতি প্রায় 50% কমায়।
এছাড়াও, এই ধরণের সরঞ্জামগুলি একটি চিপে ভাল গতিশীল বৈশিষ্ট্য সহ একটি ফ্রিহুইলিং ডায়োডকে সংহত করে এবং তারপরে থাইরিস্টরের নিম্ন অন-স্টেট ভোল্টেজ ড্রপ, উচ্চ ব্লকিং ভোল্টেজ এবং স্থিতিশীল সুইচিং বৈশিষ্ট্যের জৈব সংমিশ্রণকে একটি অনন্য উপায়ে উপলব্ধি করে।